SiC涂層可以以化學(xué)氣相沉積( CVD ) ，先驅(qū)體轉(zhuǎn)化 、等離子噴涂等方法制，其中化學(xué)氣相沉積法制的涂層均勻致密，且具有良好的可設(shè)計(jì)性。重金屬捕捉劑以甲基三氯硅烷.( CHzSiCl3, MTS)為硅源，經(jīng)過(guò)CVD方法制SiC涂層是應(yīng)用該涂層較為成熟的方法。重金屬捕捉劑

　　SiC涂層和石墨具有很好的化學(xué)相容性，重金屬捕捉劑兩者熱膨脹系數(shù)差距較小，使用SiC涂層可以有效改善石墨材料的耐磨性和抗氧化性。其中，反應(yīng)條件中的化學(xué)計(jì)量比、反應(yīng)溫度、稀釋氣體、雜質(zhì)氣體引入等條件對(duì)反應(yīng)的影響程度較大。
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